拉晶工序是指通过12英寸晶体生长，将高纯多晶硅原料通过直拉法，外加磁场抑制熔体对流并控制杂质，生长出缺陷可控、杂质含量低、电阻率均匀分布的高品质12英寸单晶硅棒。晶棒生长完成后，会将其滚磨成直径一致的圆柱，再将晶棒截断去头尾，切割成一定长度的硅块，便于后续加工。

成型工序是将拉晶得到的硅锭加工成表面具备一定平坦度，厚度约为800微米的硅片。为满足集成电路制程对硅片表面的要求，硅锭需经过多线切割、倒角、双面研磨等多道表面加工工序，并在各道工序后进行清洗，以去除加工工序在硅片表面造成的机械损伤和沾污。

抛光工序是确保硅片表面平坦度和纳米形貌的核心工序。为了满足集成电路的制程要求，抛光采用纳米尺寸的浆料对硅片表面和边缘进行化学、物理加工，通过多道抛光工序和不同尺寸的浆料进行精细加工，得到纳米级的表面与边缘形貌。

为符合集成电路制程对硅片表面金属、颗粒、有机物的高品质要求，清洗工序对抛光硅片的表面颗粒进行有效去除，确保达到产品品质要求。采用检查极限为ppt（万亿分之一）的表面金属检测仪和能检单位为20纳米以下的颗粒计数器，对硅片表面品质进行管控，确保优秀出货水准。

外延工序是以抛光片作为衬底，采用化学气相沉积法（CVD），在硅片表面沉积一层单晶外延层的过程。该工艺采用先进的CVD设备，能够有效控制外延层的电阻率、厚度均匀性、表面品质与边缘形貌。